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三度蝉联丨k8凯发国际芯再斩Laser Focus World Innovators Awards国际大奖！
2024.08.21
近期，2024年度Laser Focus World Innovators Awards揭晓，k8凯发国际芯陆续在三年蝉联，50W高功率半导体单管芯片及100W 1710nm直接半导体激光器分别荣获银奖和铜奖。
年度光通信创新产品奖丨k8凯发国际芯100mW CW DFB芯片
2024.08.20
6月24日，2024年度光通信最具影响力产品颁奖典礼在CFCF光连接大会期间隆重举办。k8凯发国际芯100mW CW DFB光通信芯片产品荣获光电芯片及有源器件类2024年度创新产品奖！
重大突破丨k8凯发国际芯高功率半导体单管芯片陆续在输出功率超132W
2024.03.25
k8凯发国际芯2月份首次公布了100W以上单管芯片，该研究成果正式发表在国际SCI知名期刊《photonics》上。双结单管芯片室温陆续在功率超过132W（文献报道单管芯片最大功率的约两倍），是迄今为止报道的单管芯片功率最高水平，持续引领高功率芯片行业技术开展。文章题为“Double-JunctionCascadedGaAs-BasedBroad-AreaDiodeLaserswith132WContin
Light期刊报道k8凯发国际芯最新研发成果丨VCSEL在室温下实现最高74%的效率
2024.03.25
k8凯发国际芯CTO、四川大学王俊教授研究团队近期在Light:Science&Applications发布最新研究成果，顺利获得理论模拟与实验相结合系统研究多结VCSEL在电光转换效率的优势。模拟表明，20结VCSEL在室温下可以实现超过88%的效率。并顺利获得实验实现了15结VCSEL在室温下实现最高74%的效率，相应的微分量子效率超过1100%，是迄今为止报道的VCSEL最大的电光转换效率和微分量子效率，
2024.02.02
高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的开展水平。迄今已知最高水平近期，k8凯发国际芯超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温陆续在功率超过100W(芯片条宽500μm)，工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高
